魏少军 基品牌网 射频前端模组,看这一篇就够了

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射频前端模组,看这一篇就够了

姓名：刘轩     学号：19020100412   学院：电子工程学院

转自： https://zhuanlan.zhihu.com/p/297965743

【嵌牛导读】射频前端模组技术介绍

【嵌牛鼻子】射频前端  滤波器

【嵌牛提问】渣茄中国企业如何克服“拿来主义”，快速迭代发展？

【嵌牛正文】

射频前端(RFFE, Radio Frequency Front-End)芯片是实现*及各类移动终端通信功能的核心元器件，全球市场超过百亿美金级别。过去10年本土*的全面崛起，为本土射频前端产业的发展奠定了坚实的产业基础；而5G在中国的率先商用化，以及全球贸易环境的变化，又给本土射频行业加了两捆柴火。射频前端芯片产业在我国也已经有了15年以上的发展历史，创新和创业活动非常活跃，各类企业数十家，也是市场和资本高度关注的领域。本文作者有幸在射频芯片行业从业11年，从2G时代做到今天的5G，也在外企、民企、国企都工作过，直接开发并大量量产过射频的每一类型产品。这篇文章总结了作者与一些行业朋友近些年的讨论，尝试对射频模组产品的技术市场及商业逻辑进行梳理。同时，本土射频发展了十余年，竞争是行业主线，合作与友谊是非常稀缺的资源。本文将会重点分享“模组化”的相关知识，也是希望更多的本土厂商去通过“合作”分享模组化的巨大机遇。

引言

根据魏少军教授在“2020全球CEO峰会”的《人间正道是沧桑-关于大变局下的战略定力》主题演讲，统计得出对中国市场依赖度最高（依营收占比计算）的美国公司，如下图。我们可以看到SKYWORKS、Qualcomm、Qorvo、Broadcom这四家美国射频巨头（其中SKYWORKS和Qorvo以射频业务为主；Qualcomm和Broadcom包含了射频业务）恰好占据了排行榜前4名。

射频前端的国际情况

射频前端技术主要集中在滤波器(Filter)、功率放大器(PA, Power Amplifier)、低噪声放大器(Low Noise Amplifier)、开关（RF Switch）。目前全球射频市场由引言提到的四家美国射频公司Skyworks、Qualcomm、Qorvo、Broadcom与日本Murata这五大射频巨头寡占。

五家射频巨头在PA与LNA等市场占有率超过九成。滤波器方面，则分为声表面波(SAW, Surface Acoustic Wave)与体表面波(BAW, Bulk Acoustic Wave)滤波两种主要技术。目前，SAW滤波器市场由Murata占据一半，Skyworks约10%，Qorvo约4%，其余则被太阳诱电、TDK等大厂瓜分。BAW滤波器的市场则由美国企业占据9成市场。

由此可见，射频前端是巨大的市场，能容纳5家国际巨头持续发展。国际巨头的技术跨度大，模组化能力强；模组化产品是国际竞争的主赛道。每家巨头都拥有BAW技术或其替代方案。

射频前端的国内情况

关于射频前端的国内情况有很多文章都曾提到，这里不赘述，只给几个共识比较多的结论：

1.本土公司普遍以分立器件为主要方向；分立器件是当前本土竞争的主赛道。2.本土公司缺乏先进滤波器技术及产品，模组化能力普遍不强。

5G模组化挑战及机遇的来源

PCB布线空间及射频调试时间的挑战，下沉到了入门级*，打通了国产模组芯片的迭代升级路径。

射频模组芯片，不是一个新生的产品系列。事实上，射频模组芯片的使用几乎与LTE商业化同时发生。过去10年内，各种复杂的射频模组已经普遍应用在了各品牌的旗舰*中；与此同时，在大量的入门级*上，分立器件的方案也完全能够满足各方面的要求。因此在过去10年就出现了泾渭分明的两个市场：旗舰如做察机型用模组方案；入门机型用分立方案。模组方案要求“高集成度和高性能”，因而价格也很高；而分立方案要求“中低集成度和中等性能”，售价相对而言就低不少。两种方案之间存在巨大的技术和市场差异，我们可以把这个称作4G时代的“模组鸿沟”。

4G时代的“模组鸿沟”

5G的到来，彻底改变了这个状况。

相胡尺比于4G入门级*的2~4根天线，5G入门级*的天线数目增加到了8~12根；需要支持的频段及频段组合也在4G的基础上显著增加。大家知道，射频元器件的数目，与天线数目及频段强相关，这就意味着射频元器件的数目出现了急剧地增长。与此同时，由于结构设计的要求，5G*留给射频前端的PCB面积是无法增加的，因此分立方案的面积大大超过了可用的PCB面积。这是空间带来的约束。

还有一个挑战，来自于调试时间。4G使用分立器件方案的射频调试时间，一般在一周以内。随着5G射频复杂度的显著提升，假设使用分立方案，可能会带来3~5倍的调试时间增加；从成本上来讲，还需要消耗更贵的5G测试设备、熟悉5G测试的工程师资源。如果使用模组，大部分的调试已经在模组设计过程中在内部实现了，调试工作量将更多地移到软件端，因此调试效率大大提升。这是时间带来的约束。

时间和空间的约束，强烈而普遍。因此在入门级5G*中，就天然出现了对“中低性能和高集成度”模组的需求，与旗舰*的“中高性能和高集成度”模组形成了管脚统一。既然都需要高集成度的模组，只是指标要求不一样，这样国产的模组芯片就可以从“中低性能”（5G入门级*）向“中高性能”(5G旗舰*)迭代演进。因此，“模组鸿沟”便被填平了。

任何事情都是两面的。“模组鸿沟”被填平以后，分立市场的空间也出现了风险；对专长于分立芯片的本土企业来讲，也需要巨大的资源和力量去在模组产品中找到自身的位置；如果不能突破，就会在不远的未来进入到瓶颈阶段。

在5G的早期阶段，目前市场上也出现了一种混合方案，即用分立器件和模组混搭的方案。这个方案的出现，有很多客观的原因，其中就包括历史上形成的“模组鸿沟”。这种方案是妥协的产物，牺牲了一些关键指标，而且面积上也做了让步。如果没有专注做国产化模组的芯片公司，就不会有优秀的国产模组芯片；如果没有优秀的国产模组芯片，模组方案的价格永远高高在上。

滤波器技术简要分类

BAW 滤波器： 即体声波滤波器。具有插入损耗小、带外衰减大等优点，同时对温度变化不敏感，BAW滤波器的尺寸大小会随着频率升高而缩小，因此尤其适用于1.7GHz以上的中高频通信，在5G与sub-6G的应用中有明显优势。

SAW滤波器： 即声表面波滤波器。采用石英晶体、铌酸锂、压电陶瓷等压电材料，利用其压电效应和表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件。SAW滤波器具有性能稳定、使用方便、频带宽等优点，是频率在1.6GHz以下的应用主流。但存在插入损耗大、处理高频率信号时发热问题严重等缺点，因此在处理1.6GHz以上的高频信号时适用性较差。

LC型滤波器： 即电感电容型滤波器。LC滤波器一般是由滤波电容、电抗和电阻适当组合而成，电感与电容一起组成LC滤波电路。

射频模组简要分类

射频前端模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个模组，从而提高集成度和性能，并使体积小型化。根据集成方式的不同，主集天线射频链路可分为：FEMiD（集成射频开关、滤波器和双工器）、PAMiD（集成多模式多频带PA和FEMiD）、LPAMiD（LNA、集成多模式多频带PA和FEMiD）等；分集天线射频链路可分为：DiFEM（集成射频开关和滤波器）、LFEM(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)等。

主集天线射频链路

分集天线射频链路

射频前端的“价值密度”

既然5G*PCB面积是受限制的资源，同时我们需要在5G*内“挤入”更多的射频功能器件，因此我们评价每一类型射频器件时，需要建立一个参数来进行统一描述，作为反映其价值与PCB占用面积的综合指标。

ValueDensity=（平均*价格ASP）/（芯片封装大小）

接下来，我们使用VD值这个工具，分别分析一下滤波器、功率放大器、射频模组三类产品的情况。

1. 滤波器的VD值

首先说明一点，由于通常情况下滤波器还需要外部的匹配电路，实际的VD值比器件的VD值还要再低一些。我们先忽略这个因素。根据以上的数据，我们可以得到一些结论：从LTCC到四工器，VD值持续增加，从1.2到10.0，增加比较快速。

2. 功率放大器的VD值

根据以上数据，也可以看到: a) 从2G到4G，VD值从0.6增加到了1.5。b) 4G向CAT1演进的小型化产品，以及向HPUE或者Phase5N演进的大功率PA，VD值增加到了2附近。

3. 射频模组的VD值

根据以上数据，可以观察到： a) 接收模组普遍的VD值在5附近；b) 接收模组中的小封装H/M/L LFEM，VD值非常突出，大于10；c) 发射模组（除FEMiD以外），VD值在4~6之间；d) FEMiD具有发射模组最高的VD值。因此当FEMiD与VD值较低的MMMB PA混搭时，也能达到合理的PCB布图效率。

表格汇总的同时，我们也增加了技术国产化率和市场国产化率的参考数据。一般来讲，市场国产化率较低的、或者技术国产化率远远超过国产化率数字的细分品类，VD值会虚高一些。在本土相应产品市占率提高以后，未来还会有比较明显的降价空间。

射频发射模组的五重山

发射1： PA与LC型滤波器的集成，主要应用在3GHz~6GHz的新增5G频段，典型的产品是n77、n79的PAMiF或者LPAMiF。这些新频段的5GPA设计非常有挑战，但由于新频段频谱相对比较“干净”，所以对滤波器的要求不高，因此LC型的滤波器（IPD、LTCC）就能胜任。综合来看，这类产品属于有挑战但不复杂的产品，其技术和成本均由PA绝对掌控。

发射2： PA与BAW（或高性能SAW）的集成，典型产品是n41的PAMiF或者Wi-Fi的iFEM类产品，频段在2.4GHz附近。这类产品的频段属于常见频段，PA部分的技术规格有一定挑战但并不高。由于工作在了2.4GHz附近，频段非常拥挤，典型的产品内需要集成高性能的BAW滤波器来实现共存。这类产品由于滤波器的功能并不复杂，PA仍有技术控制力；但在成本方面，滤波器可能超过了PA。综合来讲，这类产品属于有挑战但不复杂的产品，PA有一定的控制力。

发射3： LowBand发射模组。LB (L)PAMiD通常集成了1GHz以下的4G/5G频段(例如B5、B8、B26、B20、B28等等)，包括高性能功率放大器以及若干低频的双工器；在不同的方案里，还可能集成GSM850/900及DCS/PCS的2GPA，以进一步提高集成度。低频的双工器通常需要使用TC-SAW技术来实现，以达到最佳的系统指标。根据系统方案的需要，如果在LB PAMiD的基础上再集成低噪声放大器（LNA），这类产品就叫做LB LPAMiD。可以看到，这类产品的复杂度已经比较高：PA方面，需要集成高性能的4G/5GPA，有时候还需要集成大功率的2GPA Core；滤波器方面，通常需要3~5颗使用晶圆级封装（WLP）的TC-SAW双工器。总成本的角度来看（假设需要集成2GPA），PA/LNA部分和滤波器部分占比基本相当。LB (L)PAMiD是需要有相对比较平衡的技术能力，因此第三级台阶出现在了PA和Filter的交界处。

发射4： FEMiD。这类产品通常包含了从低频到高频的各类滤波器/双工器/多工器，以及主通路的天线开关；并不集成PA。FEMiD产品通常需要集成LTCC、SAW、TC-SAW、BAW（或性能相当的I.H.PSAW）和SOI开关。村田公司定义了这类产品，并且过去近8年的时间内，占据了该市场的绝对主导权。三星、华为等*大厂，曾经或正在大量使用这类产品在其中高端*中。如前文所述，有竞争力的PAMiD供应商主要集中在北美地区；出于供应链多样化的考虑，一些出货量非常大的*型号，就可能考虑使用MMMB（Multi-Mode Multi-Band） PA加FEMiD的架构。MMMB PA的合格供应商广泛分布在北美、中国、韩国，而日本村田的FEMiD产能非常巨大（主要表现在LTCC和SAW）。又如前文所述，FEMiD的VD值非常高，整体方案的空间利用率也在合理范围内。

发射5： M/H (L)PAMiD。这类产品是射频前端最高市场价值也是综合难度最大的领域，是射频前端细分市场的巅峰。M/H通常覆盖的频率范围是1.5GHz~3.0GHz。这个频段范围，是移动通信的黄金频段。最早的4个FDDLTE 频段Band1/2/3/4在这个范围内，最早的4个TDD LTE频段B34/39/40/41在这个范围内，TDS-CDMA的全部商用频段在这个范围内，最早商用的载波聚合方案（Carrier Aggregation）也出现在这个范围（由B1+B3四工器实现），GPS、Wi-Fi 2.4G、Bluetooth等重要的非蜂窝网通信也都工作在这个范围。可以想象，这段频率范围最大的特点就是“拥挤”和“干扰”，也恰恰是高性能BAW滤波器发挥本领的广阔舞台。由于这个频率范围商用时间较长，该频率范围内的PA技术相对比较成熟，核心的挑战来自于滤波器件。

先解释一下为什么这段频率是移动通信的黄金频率。在很长的发展过程中，移动通信的驱动力来自移动终端的普及率，而移动终端普及的核心挑战在于终端的性能和成本。过高的频率，例如3GHz以上、10GHz以上，半导体晶体管的特性下降很快，很难做出高性能；而过低的频率，例如800MHz以下、300MHz以下，需要天线的尺寸会非常巨大，同时用来做射频匹配的电感值和电容值也会很大，在终端尺寸的约束下，超低频段的射频性能很难达到系统指标。简而言之，从有源器件（晶体管）的性能角度出发，希望频率低一些；从无源器件（电容电感和天线）的性能角度出发，希望频率高一些。有源器件与无源器件从本质上的冲突，到应用端的折衷，再到模组内的融合，恰如两股强大的冷暖洋流，在人类最波澜壮阔的移动通信主航道上，相汇于1.5~3GHz的频段，形成了终端射频最复杂也最有价值的黄金渔场：M/HB (L)PAMiD。多么地美妙！

这类高端产品的市场，目前主要由美商Broadcom、Qorvo、RF360等厂商占据。下图是Qorvo公司在其官方公众号上提供的芯片开盖分析。可以看到，该类产品包含10颗以上的BAW，2~3颗的GaAs HBT，以及3~5颗SOI和1颗CMOS控制器，具有射频产品最高的技术复杂度。该类产品通常需要集成四工器或者五/六工器这类超高VD值的器件。

M/H LPAMiD开盖图

射频接收模组的五重山

接收模组的五重山模型，如上图所述。

接收1： 使用RF-SOI工艺在单颗die上实现了射频Switch和LNA。虽然仅仅是单颗die，但从功能上也属于复合功能的射频模组芯片。这类产品主要的技术是RF-SOI，在4G和5G都有一些应用。

接收2 ：使用RF-SOI工艺实现LNA和Switch的功能，然后与一颗LC型（IPD或者LTCC）的滤波器芯片实现封装集成。LC型滤波器适合3~6GHz大带宽、低抑制的要求，适用于5G NR部分的n77/n79频段。这类产品也是SOI技术主导，主要应用在5G。

接收3： 从接收3往上走，接收模组开始需要集成若干SAW滤波器，集成度越来越高。通常需要集成单刀多掷（SPnT）或者双刀多掷（DPnT）的SOI开关，以及若干通路支持载波聚合（CA）的SAW滤波器。封装方式上，由于“接收3”的集成程度还不极限，因此有多种可能的路径。其中国际厂商的产品主要以WLP技术为主，除了在可靠度及产品厚度方面有优势，主要还是可以在更高集成度的其他产品中进行复用。

接收4： 这类产品叫做MIMO M/H LFEM。主要是针对M/H Band的频段（例如B1/3/39/40/41/7）应用了MIMO技术，增加通信速率，在一些中高端*是属于入网强制要求。看起来通信业对M/H这个黄金频段果然是真爱啊。技术角度出发，这类产品以RF-SOI技术实现的LNA加Switch为基础，再集成4~6个通路的M/H高性能SAW滤波器。国际厂商在这些频段已经开始普遍使用TC-SAW的技术，以达到最好的整体性能。

接收5： 接收芯片的最高复杂度，就是H/M/L的LFEM。这类产品以非常小的尺寸，实现了10~15路频段的滤波（SAW Filter）、通路切换（RF-Switch）以及信号增强（LNA），具有超高的Value Density值（10左右），在5G项目上能帮助客户极大地压缩Rx部分占用的PCB面积，把宝贵的面积用在发射/天线等部分，提升整体性能。这类产品需要的综合技能最高，也基本必须要用WLP形式的先进封装方式才能满足尺寸、可靠度、良率的要求。

总结

1.射频模组的核心要求是多种元器件的小型化及模组集成。

2.无论是发射模组还是接收模组，纯5G的模组是困难但不复杂，最有挑战也最具价值的是4G/5G同时支持的高复杂度模组。

EDA工具外国造:国产CPU安全么?

说到CPU、SOC想必很多人不会陌生，但如果提到EDA工具，可能很多人就从未听说过了。其实，EDA工具在芯片设计中发挥着巨大的作用，甚至可以说，如果没有EDA工具，超大规模集成电路设计就几乎是一件不可能完成的任务。那么，什么是纤橘EDA工具？中国在EDA工具上和国外差距有多大？在EDA工具上完全受制于人会存在安全风险么？

什么是EDA工具

EDA工具是电子设计自动化（ElectronicDesign Automation）的简称，是从计算机辅助设计（CAD）、计算机辅助*（CAM）、计算机辅助测试（CAT）和计算机辅助工程（CAE）的概念发展而来的。利用EDA工具，工程师将芯片的电路设计、性能分析、设计出IC版图的整个过程交由计算机自动处理完成。

由于上世纪六十七年代，集成电路的复杂程度相对偏低，这使得工程师可以依靠手工完成集成电路的设计、布线等工作。但随着集成电路越来越复杂，完全依赖手工越来越不切实际，工程师们只好开始尝试将设计过程自动化，在1980年卡弗尔.米德和琳.康维发表的论文《超大规模集成电路系统导论》提出了通过编程语言来进行芯片设计的新思想,加上集成电路逻辑仿真、功能验证的工具的日益成熟，使得工程师们可以设计出集成度更高且更加复杂的芯片。

1986年，硬件描述语言Verilog问世，Verilog语言是现在最流行的高级抽象设计语言。1987年，VHDL在美国国防部的资助下问世。这些硬件描述语言的问世助推了集成电路设计水平的提升。随后，根据这些语言规范产生的各种仿真系统迅速被推出，这使得设计人员可对设计的芯片进行直接仿真。随着技术的进步，设计项目可以在构建实际硬件电路之前进行仿真，芯片布线布局对人工设计的要求和出错率也不断降低。

时至今日，尽管所用的语言和工具仍然不断在发展，但是通过编程语言来设计、验证电路预期行为，利用工具软件综合得到低抽象级物理设计的这种途径，仍然是数字集成电路设计的基础。一位从事CPU设计的工程师表示，“在没有EDA工具之前，搞电路要靠人手工，对于大规模集成电路有上亿晶体管的设计用手工简直是不可为的......可以说有了EDA工具，才有了超大规模集成电路设计的可能”。

中国EDA工具完全依赖国外

中国半导体行业协会IC设计分会理事长、清华大学微电子所所长魏少军曾表示，“我们要改变以往那种使用先进工艺就代表是先进水平的错误认识，Intel用0.13微米工艺能作出2GHz而我们要用45nm才能实现，这就是差距...... 快速提升我们自己的IC基础设计能力迫在眉睫，这是改变目前中国IC设计业严重依赖EDA工具和*毁消团工艺才能实现芯片性能提升的根本途径，而依赖并滥用IP则导致了中国SoC设计的同质化”。

清华大学微电子所所长魏少军提到的“依赖并滥用IP则导致了中国SoC设计的同质化”指的是国内众多IC设计公司大多依赖于ARM的IP授权开发SOC，由于都是购*ARM的Cortex A53、A72、A73等产品，同质化是必然的。“中国IC设计业严重依赖EDA工具和*工艺才能实现芯片性能提升的根本途径”指的是很多中国国产SOC/CPU性能的提升严重依赖于购*更好的EDA工具和采用更好的*工艺。对于依赖更好的*工艺和严重依赖国外IP，因不属于本文范围不做讨论，重点说下中国在EDA工具上完全依赖国外产品。

EDA软件方面早已形成了三巨头——Synopsys、Cadence、Mentor。Synopsys是EDA三巨头之首。国内从事EDA软件开发的华大九天和这三家现在不是一个数量级的。诚然，华大九天也想在某些点工具上做些突破，但就整体技术实力而言几乎像蚍蜉撼树——目前，国内根本没有深亚微米的EDA成体系的设计平台。正是因为国内从事EDA工具开发的公司在Synopsys、Cadence、Mentor面前实力过于悬殊，国内IC设计公司几乎100%采用国外EDA工具。而且在相当长的一段时间里，看不到缩小和Synopsys、Cadence、Mentor技术差距的可能性。

为何在EDA工具上追赶这么难

开桥毕发出性能优越的EDA工具，一方面要有良好的算法，另一方面需要和工艺相结合。虽然在算法方面有可能取得一定的技术突破，但EDA设计的后端工具要和工艺相结合，但国内自主工艺很少有深亚微米的工艺，大多是180nm和130nm。虽然中芯国际有40nm，而且宣称有28nm，但可能没有量产过，或者量产的都是小芯片。目前中芯国际最先进的工艺线都是引进的，还签署一定限制条款。正如国家要发展必然离不开完善的基础建设，这是发展的基础，EDA工具的研发进步就需要国内自主研发的*工艺做基础，由于没有自主研发的先进*工艺，所以和工艺结合的那部分就根本不可能取得技术突破。

那如果有了自主研发的先进工艺，就能够开发出良好的EDA工具了么？事情没这么简单。即便有了自主研发的先进工艺，撇开工艺结合，光在算法技术上和国外三巨头的差距也很远。而且算法和工艺相结合很难，需要非常高深的数学理论，这是目前国内很难做到的。另外，技术发展也离不开商业因素，在国外三巨头占有统治地位的情况下，全球市场早已被国外产品占据，因此，就国产EDA工具而言，目前还看不到赶超西方的可能性。

依赖国外EDA工具是否存在风险

既然如此，完全依赖于国外EDA工具是否存在商业上风险呢？其实，对于这点，国内没有必要过于忧虑，由于不能明说的原因，对于国内IC设计公司而言，并不怕国外进行制裁。

也许又有人会问：如果Synopsys、Cadence、Mentor在EDA工具里埋地雷，而国内IC设计公司恰恰用这些被埋雷的EDA工具设计芯片，那么芯片的安全性还有保障么？对于这个课题，其实有专门针对设计和版图的安全性的研究，打比方说，如果是DC工具在你的设计里埋个雷，人肉检查是搞不定的，因此，有专门做硬件木马检测技术的研究。不过，这些研究目前还处在低级阶段，只能和目前现存木马匹配，存在很大限制。

总而言之，就产业发展的现状而言，国产EDA工具和Synopsys、Cadence、Mentor的产品差距过于悬殊，而且看不到赶超西方的希望，国内IC设计公司基本在使用国外EDA工具。虽然在商业化上不存在被卡脖子的可能性，但采用国外EDA工具设计国产芯片而产生的安全风险却是不可不提防的。

出品：科普中国

*：铁流

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军+芯中军是谁

中国芯的九大领军人物
1、王芹生：打造“国家队”
王芹祥山*生作为“八五”、“九五”、“十五”集成电路CAD技术研究项目的主要负责人，对稳定、培养和壮大我国ICCAD软件队伍，保证ICCAD攻关成果免于流失做出了重大贡献。
她主持了多项国家重点集成电路品种开发和应用项目(47个专题)，如我国第一台高档位八位单片机、第一块智能卡(CPU)芯片及系列产品等，主持开发了具有市场引导性的产品。
2、王国平：书写“再造”篇章
王国平，无锡华润微电子有限公司的领军人物，带领一个面临严重危机的中国最大的民族微电子企业，神话般地卸掉巨额亏损包袱，走上良性发展轨道，并挺立在国内消费类集成电路和分立器件企业的首位。
肩负着“让华润芯进入中国的每一个家庭”的崇高使命，向着2010年营业额50亿元的目标，在6英寸线奠基喧天的爆竹声中，王国平和他的同事们又踏上了新的征程。
3、王新潮：十年磨一剑
1997年，王新潮以TO-92管为突破口，推出长江牌元器件，*给国内家电*商，从而为长电带来了品牌和资本的原始积累。
从2000年开始，王新潮吸引3250万元私人资本和4500万元法人资本，用于长电公司的股份制改造。就在当年，江苏长电科技股份有限公司改制成功，并进入上市辅导期。2002年，长电科技形成了年产100亿只分立器件、10亿块集成电路的能力，在国内同行中处于领先地位。长电科技也连续2年利税突破1亿元大关。
4、邓中翰：“中国创造”之星
要将“中国*”推进到“中国创造”，带动中国经济整体素质和竞争能力的提升。在旅美华人学子中享有声誉的邓中翰是这个观点的积极倡导者。
邓中翰致力的“星光中国芯工程”，五年来实现了七大核心技术突破，申请了该领域200多项国内外专利技术，在国际上处于领先地位，并实现了研发成果的产品化，开发设计出拥有中国自主知识产权、具有国际领先水平的“星光中国芯”五代数字多媒体芯片。产品被国际知名企业大批量采用，成功占据了计算机图像输入芯片世界第一的市场份额(达40%以上)，在全球市场的*量目前已突破1000万枚。
5、石明达：执著的变革者
上世纪九十年代中后期开始，国际半导体*逐渐形成向中国转移的趋势。时任南通华达微电子有限公司董事长的石明达与日本富士通株式会社达成合资协议，投建南通富士通微电子有限公司。
目前，南通富士通已经形成年IC封装能力15亿块、成品测试能力10亿块、芯片测试能力5万块，成为国内集成电路封装测试行业中产品品种最全、技术水平最高、规模最大的龙头企业
6、刘幼海：创造利润奇迹
1995年从硅谷回到祖国的刘幼海，担任上海先进半导体*有限公司的市场副总裁。上任第一年，先进半导体的产量激增96%，迎来了历史上第一个赢利年。
2000年，刘幼海正式接任先进半导体总裁职务，在他的领导下，上海先进半导体也成为国内第一家专业的集成电路代工企业。2001年，正赶上全球半导体产业周期性回落，行业水平下滑35%，但刘幼海的先进半导体的利润超过1.3亿元。在短短的几年时间内，企业的规模和产量由2000年的2亿美元投资，增加到2002年的10亿美元。2000年，先进半导体的5英寸和6英寸生产线的产能是月产3.5万片芯片，截唯段至目前，已上升到月产8万片。
正是在先进半导体的利润得到保障的前提下，刘幼海又说服董事会同意投资6.87亿元，投建一条8英寸、0.25微米的集成电路芯片生产线，这条生产线的产能为月产3万片。先进半导体成为国内最大的芯片*公司之一。
7、陈向东：民营资本造“芯”
1997年，陈向东创办了杭州士兰微电子。他认为士兰在起步阶段应将产品和市场定位于民用消费集成电路中低档产品。这一策略为士兰带来了广阔的市场。2002年，士兰及下属友旺公司全年*达到5.2亿元，集成电路总产量超谨逗过4亿只。
在积累一定的资金与人才后，陈向东开始带领士兰向高端领域进军，在10M/100M以太网卡电路、CD数字伺服和解码纠错电路、数字信号处理器DSP、无线局域网解决方案、IC卡芯片等项目上投入研发资金。同时，陈向东在2001年决定创建第一条由民营资本投资的集成电路芯片生产线。2003年芯片生产线投产，同年第三季度就实现了赢利。
8、张汝京：梦圆“中国芯”
2003年8月，张汝京博士在上海浦东张江高科技园区创立了中国第一家8英寸芯片代工厂———中芯国际集成电路*(上海)有限公司。目前，公司两条大规模的8英寸生产线都已进入量产，每月总产能近6万片，工艺技术达到0.18微米及以下水平。
中芯国际在张汝京的领导下，积极同世界一流的半导体厂商结成不同形式的联盟，已经同日本的东芝、富士通、尔必达，新加坡的特许半导体，比利时的IMEC，德国的英飞凌以及美国的MOSYs等众多一流的半导体公司与研究机构签订技术合作协议，建立策略联盟关系，在诸方面创造互惠互赢的合作机会。
9、魏少军：新模式开拓者
魏少军按照建设完整产业链的发展策略，设计出具有大唐微电子特色的新业务模式。他认为，企业存在的唯一目的就是占领市场。这种认识使他走向开发面向市场的实用产品。从一开始，他就从被别人认为是“没有科技含量”的*IC卡做起。先后推出了我国第一枚具有全部知识产权的IC*卡芯片。目前，大唐微电子的IC卡芯片及模块的年生产规模超过1.8亿只，成为国内第一大生产商。
魏少军接着把大唐带到了另一个高速增长的领域：移动通信智能卡。大唐利用技术优势，迅速推出国内第一枚SIM卡芯片、UIM卡芯片，结束了国内通信智能卡集成电路领域依赖进口的局面。2003年，大唐微电子针对中国移动、中国联通的移动通信智能卡合同额就超过了5亿元。

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